GaN on Siや透明ウェハなどを高速で検査する 高感度欠陥検査/レビュー装置

特長

  • 透明ウェハの検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能
  • 微分干渉光学系により、シャロースクラッチや様々な結晶欠陥を高い感度で検出可能
  • ブロードバンド光源と光学フィルタによる波長選択機能により、膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能
  • 独自のアルゴリズムにより、欠陥以外の表面モフォロジの影響を受けない検査が可能
  • 欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート

用途

  • ワイドバンドギャップ半導体、サファイア、石英など、透明ウェハの欠陥検査
  • ワイドバンドギャップ半導体のエピタキシャル層(ホモエピ/ヘテロエピ)の欠陥検査
  • エピタキシャル成長プロセス、装置の管理
  • 研磨剤等の材料開発、研磨プロセスの管理
  • 透明ウェハ上パターンの欠陥検査

仕様

装置サイズ 2,200mm(W)× 1,850mm(D) × 2,000mm(H)(6インチ仕様)
※装置本体、ラック、オペレーションデスクを含む
対応ウェハサイズ 最大φ8インチ対応可
検査対象ウェハ GaNほか各種透明ウェハ
検査時間 10分/枚(φ6インチ,10×レンズ使用)

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