GaNウェハ欠陥検査/レビュー装置
GALOIS211
GaNウェハの各種欠陥をより高速に検出し、高い解像度で欠陥の観察が可能
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特長
- 透明基板の検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能
- 微分干渉光学系により、シャロースクラッチや各種結晶欠陥を高い感度で検出
- 光源/光学フィルタによる波長選択機能により、GaN on SiCなどヘテロエピ構造で膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能
- 最新の画像処理技術により、GaN表面モルフォロジーの影響を受けない検査が可能
- 量産工程を想定した６インチ６分の高速検査を実現
- 欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート
用途
- バルクGaNウェハの欠陥検査
- GaNエピタキシャル層（ホモエピ/ヘテロエピ）の欠陥検査
- デバイスプロセス熱工程前後における欠陥変性の解析
- エピタキシャル成長プロセス、装置の管理
- 研磨剤等の材料開発、研磨プロセスの管理
仕様
| 装置サイズ | 3,052mm（D）×3,250mm（W）×1.990mm（H） ※メンテナンススペースを含みます。 |
|---|---|
| 対応ウェハサイズ | 最大φ8インチ |
| 検査対象ウェハ | バルクGaN、ホモエピ/ヘテロエピGaNウェハ |
| 検査時間 | 6分/枚（φ6インチ、10xレンズ使用） |
