GaNウェハの各種欠陥をより高速に検出し、高い解像度で欠陥の観察が可能

特長

  • 透明基板の検査に最適なコンフォーカル光学系を採用し、裏面反射等の影響を受けない安定した検査が可能
  • 微分干渉光学系により、シャロースクラッチや各種結晶欠陥を高い感度で検出
  • 光源/光学フィルタによる波長選択機能により、GaN on SiCなどヘテロエピ構造で膜干渉などの影響を受けず、検査対象のウェハや膜に最適な条件での検査が可能
  • 最新の画像処理技術により、GaN表面モルフォロジーの影響を受けない検査が可能
  • 量産工程を想定した6インチ6分の高速検査を実現
  • 欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能、マーキング機能を装備し、欠陥の分析をサポート

用途

  • バルクGaNウェハの欠陥検査
  • GaNエピタキシャル層(ホモエピ/ヘテロエピ)の欠陥検査
  • デバイスプロセス熱工程前後における欠陥変性の解析
  • エピタキシャル成長プロセス、装置の管理
  • 研磨剤等の材料開発、研磨プロセスの管理

仕様

装置サイズ 3,052mm(D) × 3,250mm(W) × 1.990mm(H)
※メンテナンススペースを含みます。
対応ウェハサイズ 最大φ8インチ
検査対象ウェハ バルクGaN、ホモエピ/ヘテロエピGaNウェハ
検査時間 6分/枚(φ6インチ、10xレンズ使用)

キーワード検索

お問い合わせ

製品に関するお問い合わせはこちらから。何でもお気軽にお問い合わせください。

お電話でもお問い合わせいただけます。

045-478-7330

(平日9:00~17:00まで受付)