SiCウエハ量産工程での出荷・受入れ・プロセスモニタに最適な装置

特長

  • SiCウェハに最適なコンフォーカル光学系+微分干渉の採用
  • ピット、スタッキングフォルト、キャロットなど結晶欠陥を高感度に検出
  • 裏面反射光に影響されない安定した欠陥検査
  • 高解像度レビュー機能
  • 欠陥マップ表示機能、欠陥分類機能
  • オートローダー標準装備

用途

  • SiCウェハ、エピウェハの出荷・受入検査
  • SiCエピタキシャル成長プロセスの管理
  • SiC研磨プロセスの管理
  • SiCデバイス製造プロセスの管理

仕様

装置サイズ

2,000mm(W) × 1,700mm(D) × 2,000mm(H)
※装置本体、検査部ラック、オペレーションデスクを含む)

対応基板サイズ

最大φ6インチ

検査対象ウェハ

バルクSiC、エピ膜付SiC

スループット

20枚(φ3インチ) / 時間

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