デザインノード14nm/20nmに対応可能な半導体デバイス用フォトマスク欠陥検査装置

特長

  • デザインノード20nm以降の半導体デバイス用フォトマスク、EUVマスクに対応可能
  • 新設計の高NA対物レンズ、50nm画素サイズ、高出力213nmQCWレーザー(200mW)、および高剛性ステージにより高感度化
  • フォトマスク用のRSP150、RSP200、およびEUVマスク用のDual Podに対応可能
  • OHT(Overhead Hoist Transport)と連動した全自動検査が可能
  • 電源・制御系統を本体に内蔵したオ―ルインワン設計により、コンパクト化

用途

  • フォトマスク、EUVマスクの製造工程における出荷前検査
  • ウェハファブにおけるフォトマスク、およびEUVマスクの受入検査、および定期的な品質確認検査

仕様

検査方式 マルチダイモード、シングルダイモード
検出感度 最高感度20 nm (検出感度は、欠陥種別・検査方式により異なります)
検査時間 105分 / 100x100mmエリア
マスクサイズ 6インチ

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