デザインノード10nm/7nmに対応可能な半導体マスク検査装置

特長

  • 高感度、高速、低CoOを実現した、デザインノード20nm~7nm以降に対応できる半導体マスク検査システム
  • 従来比2倍のハイパワー213nmQCWレーザー(>400mW)を搭載し、さらなる高感度化を達成
  • 欠陥検出システムの高速化により、スキャン時間を28%削減(70分 ->50分 / 100mm x 100mmエリア)
  • マスクのパターン寸法分布(CD uniformity)をマスク検査と同時に計測し、可視化する機能を搭載
  • フォトマスク用のRSP150、RSP200、およびEUVマスク用のDual Podに対応可能
  • OHT(Overhead Hoist Transport)と連動した全自動検査が可能
  • ステージ系と電気ラック系を一体化した設計により、コンパクトなフットプリントを達成

用途

  • ウェハファブにおけるフォトマスク、およびEUVマスクの受入検査、および定期的な品質確認検査
  • フォトマスク、EUVマスクの製造工程における出荷前検査

仕様

検査方式 マルチダイモード、シングルダイモード
検査スキャン時間 50分/100mmx100mmエリア
対応マスク Cr、MoSi、OMOG、EUV
マスクサイズ 6インチ

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