TSV裏面研磨プロセスでのSi厚さ、TSV深さ、Remaining Si厚さ測定装置

特長

  • 独自の干渉計とIR光学系の組み合わせを採用し、Via部の測定を実現
  • 裏面研磨プロセスの研削前後両方において使用可能
  • TSV裏面研磨プロセスに最適なSolutionを提供

用途

  • TSV裏面研磨プロセス前のSi厚さ/TSV深さの測定
  • TSV裏面研磨プロセス後のRemaining Si厚さ(RST)の測定
  • 貼り合せウェハの接着層厚さ異常の把握
  • BSIイメージセンサウェハの裏面薄化時のシリコン厚さ測定

仕様

装置サイズ1,450mm(W)x 2,650mm(D)x 1,885mm(H)
対応基板サイズφ300mm ウェハ
測定対象TSV貼り合せウェハ,BSI 貼り合わせウェハ

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