SiCウェハ欠陥検査/レビュー装置
SICA88
表面検査およびフォトルミネッセンス（PL）検査の両方を備えた検査装置
関連ニュース
電子デバイス産業新聞主催 半導体・オブ・ザ・イヤー2016
半導体製造装置部門 「優秀賞」受賞
特長
- 表面欠陥と同時にエピ膜付きウェハ内部の基底面内転位（BPD）、積層欠陥(SF)など結晶欠陥を高感度に検出
- 欠陥の高解像度レビュー画像の取得と同時に高精度自動欠陥分類（ADC）によって、各種欠陥を詳細分類。高解像度の欠陥画像を取得できるため、顕微鏡での再観察不要
- φ6インチウェハ全面検査で10枚/時間。量産対応が可能な高スループットを実現
用途
- SiCウェハ、エピウェハの出荷・受入検査
- SiCエピタキシャル成長プロセスの管理
- SiC研磨プロセスの管理
- SiCデバイス製造プロセスの管理
仕様
| 対応基板サイズ（インチ） | φ4、φ6、φ8インチ | |
|---|---|---|
| 検査対象ウェハ | バルクSiC、エピ膜付SiC | |
| スループット | 10枚（φ6インチ）／時間 | |
| 光学検査（表面欠陥検査） | 光学系 | コンフォーカル光学系および微分干渉 |
| PL検査（内部欠陥検査） | 光学系 | フォトルミネッセンス |
| 励起波長 | 313nm 365nm他 | |
| PL観察フィルタ | NIR,NUV,VIS 他 | |
