炭化ケイ素（SiC）

【読み方】: たんかけいそ

【英語名】: Silicon carbide（SiC）

説明

ケイ素 (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料。Siと比べて絶縁破壊電界強度、バンドギャップともに優れている。Siよりバンドギャップが大きい。4H-SiCはバンドギャップが3.26eV

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