アイシー / IC

トランジスタ、抵抗、コンデンサ、ダイオードなどの素子を集めて基板の表面に形成し、各種機能を持たせた電子回路

i線 / I line

水銀ランプにおける波長365nmのスペクトル

アイティーオー / ITO

  • Indium Tin Oxide
  • 液晶パネル等において各画素を電気的に制御するために用いる透明導電膜

アベレーション / Aberration

収差
光学系において実際の光線が理想的経路と異なって進むことで生じる誤差
レンズ系では一般にザイデルの5収差と呼ばれる球面収差、コマ収差、非点収差、像面弯曲、歪曲の5つと色収差の計6つに分けられる

アライナー / Aligner

電子回路を形成する基板(ウェハ)にフォトマスクを転写(露光)するための露光装置であり、フォトマスクを一括露光する方式を用いた装置等倍露光が一般的である

アニール / Annealing

界面特性の安定化を図るため、ウェハを高温の非酸化性ガス中にさらすこと

暗電流 / Dark Current

光を照射していない状態で流れる電流のこと

イーエーピーエスエム / EAPSM Att-PSM

  • Embedded Attenuated Phase Shift Mask Attenuated Phase Shift Mask
  • ハーフトーンタイプの位相シフトマスクの別名

イーエル / EL

  • Electro Luminescence (EL)
  • Electro Luminescenceの略。半導体に電流を流すと光を放射するため、光の強度によって半導体の品質を評価することができる

イオン / Ion

原子あるいは分子が電子を授受することによって電荷をもったものを言う。電離層などのプラズマ、電解質の水溶液、イオン結晶などのイオン結合性を持つ物質内などに存在

位相欠陥 / Phase defect

EUVマスクやEUVマスクブランクスにおいて、光を反射するための多層膜の周期を乱す欠陥(反射光の位相に影響する欠陥)。露光時の転写パターンに寸法変化が生じる要因となる。
一方、異物等の反射を阻害する欠陥は振幅欠陥と呼ばれる(反射光の強度に影響する欠陥)

位相シフトマスク / Phase Shift Mask (PSM)

フォトマスク上の一部に、基板と屈折率や透過率の異なる物質を付加したり、あるいは基板の厚みを変えることで、その部分を通過する光の位相や強度を変えて、解像性を向上する機能を有するフォトマスク

位相シフト量 / Phase Shift Angle

光の位相角のずれ量

イーピーエル / EPL

  • Electron Projection Lithography
  • 電子線投影方式のリソグラフィー

異物 / Foreign Particl

基板やペリクル上に付着したパターン以外の物体。ヘイズ、浮遊塵埃、レジスト、オイルミストなどがある

イーユーヴイ / EUV

  • Extreme Ultraviolet
  • 極端紫外線
  • 光源の波長 ; 13.5nm

イーユーヴイ マスク / EUV mask

  • EUV露光に使用されるフォトマスク
  • EUV光はほとんどの材料を透過しないため、反射光学系で使用(反射型マスク)
  • EUVブランクスの上にある吸収層によりパターンが形成される

イーユーヴイ マスクブランクス / EUV mask blank

  • EUVマスク用のブランクス
  • EUV光を反射するための多層膜が基板(サブストレイト)の上に付いている

イーユーヴイエル / EUVL

  • EUVの光源を用いたリソグラフィー
  • 極端紫外線リソグラフィー

インゴット / Ingot

シリコンウェハの元となるかたまり。シリコン融液から成長した単結晶で出来ている
このインゴットを薄く切り、研磨する事で、シリコンウェハとなる

ヴイユーヴイ / VUV

  • Vacuum Ultraviolet
  • 真空紫外線
  • 光源の波長がおよそ190nm以下の紫外線
  • 空気中はほとんど透過しない

ウェハ / Wafer

シリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)などを円柱状に結晶化させ、それを薄く切り出した円形状の基板で、半導体の電子回路が形成される基板

エアリアルイメージ / Aerial Image

  • 空間像
  • フォトマスク上のパターンがウェハ直上に投影された像
  • 必ずしもこの像の形状にレジストが形成されるとは限らない

エイアールエフ / ArF

  • Argon Fluoride
  • 露光用光源であるフッ化アルゴンのエキシマレーザー
  • 光源の波長 : 193nm

エイエルティーピーエスエム / Alt-PSM

  • Alternating Phase Shift Mask
  • 位相シフトマスクの一種
  • レベンソンタイプの位相シフトマスク(Half Toneタイプ以外の位相シフトマスク)

エイティーティーピーエスエム / Att-PSM

  • Attenuated Phase Shift Mask
  • 位相シフトマスクの一種
  • ハーフトーン(Half Tone)型位相シフトマスク

エイピーシー / APC

  • Advanced Process Control
  • フィードバックやフィードフォワードを利用したリソグラフィーのプロセス制御手法

液浸 / Immersion

  • 対物レンズと試料の間を液体で満たし、空気に比べて光の屈折率を高めることで高い解像力を実現させる光学的手法
  • ウェハと露光装置の最下レンズとの間を液体で満たすことで、屈折率が1の空気の場合に比べて、液体の屈折率倍にNAを高められるため、解像度を向上できる露光方法(液浸露光)
  • おもにArF露光装置に適用される

液晶ディスプレイ / 液晶パネル LCD

  • Liquid Crystal Display
  • 液晶による光の制御を利用したディスプレイ

エスエーキューピー / SAQP

光リソグラフィの限界を超えた微細なパターンを、4倍の大きなピッチを持つフォトマスクとスペーサを用いたプロセスで製作する技術

エスエヌ比 / S/N ratio

  • Signal Noise Ratio
  • 信号対雑音比

エスオーアイ / SOI

  • Silicon On Insulator
  • 絶縁膜上に薄いシリコン単結晶層を形成したウェハ

エスピーシー / SPC(Static Process Control)

CDUの傾向を統計的なデータとして扱い、プロセスを制御する手法

エッチング / Etching

加工法の一つ。酸やアルカリの化学薬品やガスを利用し、材料の除去を行う事。これにより不必要な部分を除去する事ができる

エヌアイエル / NIL

  • Nano Imprint Lithography
  • 微細パターンが形成された型を押し付けることでウェハ上にパターン形成する次世代リソグラフィー技術

エービーアイ / ABI

  • Actinic Blank Inspection
  • EUV露光装置と同波長となるEUV光(波長13.5nm)で行うマスクブランクス検査、または検査装置

エフオーエスビー / FOSB

  • Front Opening Shipping Box
  • ウェハの出荷用ケース

エフピーディー / FPD

  • Flat Panel Display
  • LCDやPDPなどの薄型ディスプレイの総称

エルエスアイ / LSI

  • Large Scale Integrated circuit
  • 大規模集積回路の総称
  • トランジスタの集積度向上に従って、VLSI、ULSIと呼ばれる

エルテム / LTEM

  • Low Thermal Expansion Material
  • 低熱膨張材料、低熱膨張ガラス基板
  • EUVブランクス用の基板(サブストレイト)

エルビック / LBIC

  • Leaser (Light) Beam Induced Current (LBIC)
  • Leaser (Light) Beam Induced Currentの略
  • 半導体にレーザー光を照射し、その光電流を測定する。レーザー光を操作走査することにより電流密度の分布画像が得られる

オーシーディー / OCD

スポット照明した領域の平均CDを光学的に求める装置

オプテリクス / OPTELICS

レーザーテック社製コンフォーカル顕微鏡の製品名

  • レーザーテック株式会社の登録商標

音響光学偏向素子 / AOD

  • Acoustic Optical Deflector
  • 光学媒体の中に超音波を発生させて、進行する超音波の波面によってレーザー光を回折させる素子で、機械的可動部がないので高速な走査を実現できる