説明
EUV露光に使用されるフォトマスク。EUV光はほとんどの材料を透過しないため反射光学系で使用（反射型マスク）し、EUVブランクスの上にある吸収層によりパターンが形成される
世界初 EUVパターンマスク欠陥検査装置
テクノロジーノード7nm/5nm/3nmのペリクル非装着EUVマスクおよびフォトマスクに対応可能なマスク検査装置
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