社名変更の前年、半導体以外の新たな事業分野を開拓すべく、走査型カラーレーザー顕微鏡(世界初)を開発。中核技術である「光応用技術」を社名の前面に押し出すことで、イメージチェンジを図りました。

前身の「日本自動制御」という社名は、「LSIフォトマスク欠陥検査装置」の開発で半導体業界では広く知られており、日本のハイテク・ベンチャー企業の代名詞ともなっていました。 あえてその名を捨てることで「過去の実績にとらわれず、常に前を見て最先端技術製品を開発していく」という想いも、新たな社名には込められています。

光の可能性を徹底して追究するなかで、光源にレーザーを使用し高解像度化を図った「レーザー顕微鏡」を出発点に、全焦点の3次元画像が得られる「共焦点光学系技術」を確立。さらに、半導体リソグラフィのアプリケーションに適応する「DUV/EUV光学系技術」、超解像リソグラフィへの応用で光の位相を正確に測定する「光干渉計技術」などを次々に開発してきました。

レーザーテックはこれら3つの光応用技術をコアに、周辺技術やアプリケーションとの多種多様な組み合わせ・融合で、お客さまのニーズにおこたえする製品を開発しています。

EUV光(波長:13.5nm)を用いたEUV(極端紫外線)マスクブランクス欠陥検査/レビュー装置は、2017年に当社が世界ではじめて開発・発売した製品です。

半導体性能向上に不可欠な回路微細化を実現するEUV露光技術。その実用化に先駆けて開発した量産対応の本装置は、回路原版(フォトマスク)の材料であるマスクブランクス内部にある微小な欠陥を検出します。EUVマスクブランクスの欠陥管理や歩留まり向上に大きく貢献していきます。

位相シフト量測定装置は、1993年に当社が世界ではじめて開発・発売した装置です。翌年1994年に発売されたMPM100は、当時の露光波長の主流である365nm(i線)と同じ波長で位相シフト量を測定できる装置として市場から高く評価され、短期間のうちに業界の標準機となりました。

走査型カラーレーザー顕微鏡は、1985年に当社が世界ではじめて開発・発売した製品です。本製品の開発により、当社は半導体以外の新たな事業分野の開拓に乗り出しました。以来、当社にとって顕微鏡は主要事業の一つであると同時に、さまざまな分野における潜在ニーズや新たなビジネスチャンスを見いだすアンテナとして重要な役割を担っています。

LSIフォトマスク欠陥検査装置は、1976年に当社が世界ではじめて開発・発売した製品です。

この装置の開発は、半導体工場で多くの社員がそれまで目視で検査していた工程を自動化し、検査速度と欠陥検出感度の飛躍的な向上で、当社の名を世界に印象づけました。

フォトマスク欠陥検査装置は、その後全面的に一新されてMATRICSシリーズとして生まれ変わり、最先端半導体工場で歩留まり向上に貢献しています。

半導体マスクブランクス検査装置や FPDフォトマスク検査装置、走査型カラーレーザー顕微鏡は、当社の独自技術により、 世界に先駆けて開発した製品です。その多くの製品は、今日、業界標準機としてゆるぎない地位を確立し、世界中のお客さまより高い評価をいただいています。

今後も市場を創造し牽引する技術と開発力で、お客さまのニーズにおこたえしていきます。