表面検査およびフォトルミネッセンス(PL)検査の両方を備えた検査装置

特長

  • 表面欠陥と同時にエピ膜付きウェハ内部の基底面内転位(BPD)、積層欠陥(SF)など結晶欠陥を高感度に検出
  • 欠陥の高解像度レビュー画像の取得と同時に高精度自動欠陥分類(ADC)によって、各種欠陥を詳細分類。高解像度の欠陥画像を取得できるため、顕微鏡での再観察不要
  • φ6インチウェハ全面検査で10枚/時間。量産対応が可能な高スループットを実現

用途

  • SiCウェハ、エピウェハの出荷・受入検査
  • SiCエピタキシャル成長プロセスの管理
  • SiC研磨プロセスの管理
  • SiCデバイス製造プロセスの管理

仕様

対応基板サイズ (インチ)φ4、φ6、φ8インチ
検査対象ウェハバルクSiC、エピ膜付SiC
スループット10枚(φ6インチ)/時間
光学検査(表面欠陥検査)光学系コンフォーカル光学系および微分干渉
PL検査(内部欠陥検査)光学系フォトルミネッセンス
励起波長313nm 365nm他
PL観察フィルタNIR,NUV,VIS 他

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